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| 规格书 |
 NTMD2C02R2 |
| 文档 |
Multiple Devices Copper Wire 20/Aug/2008 Multiple Devices 13/Apr/2009 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品更改通知 | Wire Change 20/Aug/2008 |
| 标准包装 | 2,500 |
| FET 型 | N and P-Channel |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 20V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 5.2A, 3.4A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 43 mOhm @ 4A, 4.5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 1.2V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 20nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1100pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
| 供应商器件封装 | 8-SOICN |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 漏源击穿电压 | +/- 20 V |
| 源极击穿电压 | +/- 12 V |
| 连续漏极电流 | 5.2 A, - 3.4 A |
| 抗漏源极RDS （ ON） | 43 mOhms, 100 mOhms |
| 配置 | Dual Dual Drain |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | SOIC-8 Narrow |
| 封装 | Reel |
| 下降时间 | 80 ns, 35 ns |
| 正向跨导gFS （最大值/最小值） | 3 S |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 2 W |
| 上升时间 | 50 ns, 40 ns |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 典型关闭延迟时间 | 45 ns, 35 ns |
| 寿命 | Obsolete |
| 最大门源电压 | ±12 |
| 安装 | Surface Mount |
| 包装宽度 | 4(Max) |
| PCB | 8 |
| 最大功率耗散 | 2000 |
| 最大漏源电压 | 20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 43@4.5V@N Channel|100@4.5V@P Channel |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SOIC N |
| 标准包装名称 | SOIC |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N|P |
| 包装长度 | 5(Max) |
| 引脚数 | 8 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 包装高度 | 1.5(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 5.2@N Channel|3.4@P Channel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 5.2A, 3.4A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1.2V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | 8-SOIC N |
| 其他名称 | NTMD2C02R2GOS |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 43 mOhm @ 4A, 4.5V |
| FET型 | N and P-Channel |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1100pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 20nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1100pF @ 10V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 43 mOhm @ 4A, 4.5V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 20nC @ 4.5V |
| FET 功能 | Logic Level Gate |
| FET 类型 | N and P-Channel |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 功率 - 最大值 | 2W |
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